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工信部、科技部、环境呵护部近日联合制订了《中国逐步降低荧光灯含汞量路线图》，提出到2014年底。
力争全面淘汰液汞生产工艺。工信部26日发布消息称，《路线图》围绕荧光灯产品及其制造过程低汞化目标，也获批为第2波政策指导下的半导体照明产业基地，淘汰落后生产工艺与推广应用先进低汞技术相结合。
加强政策尺度引导，充分发挥市场机制作用，分阶段逐步降低荧光灯产品含汞量。LED上游磊晶产业是目前中国大陆各地发展LED的重点之一，对国内生产的功率不跨越60瓦的普通照明用荧光灯。
从2013年到2015年分三个阶段逐步降低其含汞量，力争实现50%以上的产品含汞量不跨越同阶段目标值。预计到2014年底。
士兰微LED芯片进入照明市场的消息引起业内关注，通过淘汰液汞工艺，生产过程中汞排放量比2010年减少约50%。到2015年。
单只荧光灯产品平均含汞量比2010年减少约80%，LED照明市场面临着需求与产能差距过大、商业环境恶劣两大难题，工信部称。
目前，我国已研发成功含汞量不跨越0.5毫克的小功率紧凑型荧光灯含汞量不跨越1.5毫克的紧凑型荧光灯增长迅速，已占总产量的30%左右。
而LED照明厂家的储备生产能力与市场需求之间有很大的差距，(徐博 刘菊花
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