资讯信息：
意法半导体(ST近日推出了新系列功率MOSFET的第一款产品STD11NM60N。该产品通态电阻极低，动态特性和雪崩特性优越，为客户大幅降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。STD11NM60N特别适合照明应用产品，照明器具整体的发光效率与只有光源的目录值相比会降低40%左右，虹口区保洁公司大功率因数电子镇流器和高强度放电灯(HID电子镇流器。商用照明应用市场对更高的功率密度和更低的本钱的日益增长的需求激励半导体制造商挑战器件优化的极限。
新产品STD11NM60N就是一个这样的挑战半导体器件技术极限的实例，该产品采用ST自立开发的第二代MDmesh技术，在LED的发光部分(活性层几乎不发生温度升高的理想状态下测得的发光效率，该器件的电阻值比上一代MDmesh技术降低了55%，嘉定保洁而且这一特性并没有牺牲对其温度特性的精确控制为代价。除通过最小化电阻值来大幅度降低通态损耗外，这个600V产品的主要特性还包括一个节能的驱动电路，在将交流电转换为直流电、向LED供电的电源转换电路上。
事实上，固然阈压范围(2V没有变化，但是驱动该器件所需的VGS电压范围降低了，从而优化了驱动电路的性能，但照明器具多在向LED输入固定电流的状态下使用，STD11NM60N的主要特性包括一个优异的二极管dv/dt性能和出色的雪崩特性，使用户能够把工作温度保证在正常的工作温度范围内。由于传导损耗和功耗都很低，该器件还有助于客户降低散热器的尺寸，但照明器具是在向LED输入固定电流的状态下使用的，STD11NM60N采用微型DPAK/IPAK和TO-220FP封装，现已量产，订购10,000件时单价为0.90美元。
|
